2SB1330T105/P
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
2SB1330T105/P datasheet
-
Маркировка2SB1330T105/P
-
ПроизводительRohm
-
ОписаниеRohm 2SB1330T105/P Package Shape: RECTANGULAR Package Style: IN-LINE Terminal Form: THROUGH-HOLE Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Transistor Polarity: PNP Power Dissipation Ambient-Max: 1.2 W Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER DC Current Gain-Min (hFE): 82 Collector Current-Max (IC): 0.7000 A Collector-emitter Voltage-Max: 80 V Transition Frequency-Nom (fT): 100 MHz
-
Количество страниц4 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
06.06.2024
05.06.2024
04.06.2024